서버메모리 E와 R의 차이

서버메모리 E와 R의 차이

   

   

ECC : 오류수정(검출)기능 지원
ECC/REG : 오류수정(검출)기능 과  Registered(Buffered) 기능 지원

   

   

   

   

[서버용 메모리]

E : Unbuffered DIMM(UDIMM), ECC
버퍼기능은 없으나 오류수정/검출 기능을 지원하는 메모리 입니다.

R : Registered DIMM(RDIMM)
buffered 메모리라고도 합니다.
메모리 버퍼의 기능에서 데이터 처리 기법(기술)중에 하나가 Registered 이고,
메모리 카드에 장착된 register 칩이 메모리 컨트롤러 사이에서 버퍼 역활을
합니다. (Unbuffered 의 반대 개념입니다.)
그리고 해당 Registered 규격 메모리들은 거의 대부분 ECC 기능이 포함되어 있습니다.

그런데 여기서 한가지 의문점이 들지 않으시나요?^^
Registered DIMM 을 buffered 메모리 즉, buffered DIMM 이라고도 부르는데,
표준규격인 Unbuffered DIMM 이 있으니까 동일한 개념으로 Buffered DIMM 이라고
표준규격을 만들어야 되지 왜 Registered DIMM 으로 규격을 만든건지..
현재의 SDRAM 이전에 사용하던 구형 메모리들에서도 서버용 메모리를 통상적으로
buffered 메모리라고 불렀습니다. 그리고 반대되는 의미로 Unbuffered 라고했구요.
그리고 지금 현재의 SDRAM 으로 대부분이 대체되면서 이전 방식과의 서버 메모리 특성이나
동작 차이점으로 인해 buffered 가 아닌 Registered 로 바뀌게된 부분이지
기능이나 동작의 의미는 동일한 말입니다. 그리고 예전에도 사용하던 Unbuffered 는 바뀌지 않고,
지금도 사용하고 있고, 규격된 부분입니다.
왜냐하면 구형 메모리가 SDRAM 으로 대체되어도 일반사용자용 메모리는 메모리 특성이나
동작차이점이 없기 때문 입니다.
물론 성능은 더 향상되었죠^^;; 기본적인 구동 원리 부분에 큰 차이점이 없다는 부분입니다.
그래서, Buffered DIMM 이 아닌, Registered DIMM 이라고 규격화된 부분 입니다.
(Buffered 만 Registered 로 바뀌었다는 의미 입니다.)

   

메모리	특징
ROM	읽기 전용 메모리입니다. 비휘발성 메모리라고도 하고 전원 공급을 끊어져도 기록한 데이터는 소실되지않습니다. 따라서 다시 작성할 필요가 없는 프로그램이나 데이터의 저장에 사용됩니다. ROM은 크게2가지로 분류할 수 있습니다. 하나는 제조 공정에서 마스크를 사용하여 데이터를 기록하는 마스크ROM이고, 다른 하나는 사용자가 바로 데이터를 기록할 수 있는 PROM(Programmable ROM)입니다.또한, PROM는 다시 작성할 수 있는 EPROM(Erasable PROM)과 다시 작성할 수 없는(1번밖에 기록할수 없는) OTP(One Time PROM)로 나눌 수 있습니다. 이전에는 EPROM은 자외선으로 삭제한 후에기록하는 UVEPROM이 주류였으나 최근에는 전기적인 삭제와 기록이 가능한 EEPROM이 일반적입니다.또한, EPROM은 미완성 프로그램의 저장 등에 사용되고 있습니다.
（Read Only Memory）
RAM	전원 공급을 끊으면 기록한 데이터가 소실되는 메모리입니다. 휘발성 메모리라고도 하고 프로그램이나데이터를 일시적으로 저장하는 용도로 사용됩니다. RAM은 크게 2가지로 분류할 수 있습니다. SRAM(Static RAM)과 DRAM(Dynamic RAM)입니다. SRAM은 전원을 공급하면 데이터를 유지할 수있는 플립플롭 회로를 사용한 셀 구조를 채용하고 있습니다. 한편 DRAM의 셀 구조는 커패시터에전하를 축적함으로 인하여 데이터를 유지하는 커패시터형입니다. 따라서 정기적으로 리플레시 신호를주지 않으면 데이터가 소실되어 버립니다. SRAM의 장점으로는 제어가 쉽고 읽기/쓰기 동작이 고속인점 등을 들 수 있습니다. 그러나 한편으로 셀 면적이 크기 때문에 대용량화에 적합하지 않다는 등의단점이 있습니다. DRAM은 셀 면적이 작기 때문에 대용량화에 적합하지만 리플레시 동작이 중요하므로제어가 복잡하게 된다는 단점이 있습니다. 현재 차세대 RAM으로 자기 저항 메모리(MRAM: Magnetoresistive RAM)와 상변화 메모리(Phase Change RAM), 저항 변화 메모리(RRAM: Resistive RAM) 등의 개발이 진행되고 있습니다.
（Random AccessMemory）
플래시 메모리	EEPROM의 한 종류입니다. 1바이트마다 기록이 아닌 블록 단위로 삭제와 기록이 가능합니다.기본적으로는 ROM으로 분류되는 경우가 많지만, 경우에 따라서 ROM과 RAM의 중간적인 메모리로취급하는 예도 있습니다. 셀 구조에 따라 NOR형과 NAND형으로 크게 2가지로 나눌 수 있습니다. NOR형은 데이터 유지의 신뢰성이 높으므로 에러 정정 등의 처리가 불필요하고 또한 비트 단위로기록할 수 있는 장점이 있습니다. 그러나 삭제 속도가 느려서 고속 동작에 적합하지 않고 셀 면적이크기 때문에 대용량화가 어렵다는 단점이 있습니다. 주요 용도로는 휴대 전화기 등의 프로그램 저장을들 수 있습니다. 한편 NAND형은 셀 면적이 작으므로 대용량화에 적합합니다. 따라서 휴대용 음악플레이어나 휴대 전화기 등에서 데이터를 저장하는 용도로 사용되고 있습니다.

출처

 http://dreamwebs.kr/hboard4/bbs/board.php?bo_table=board1&wr_id=211